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J-GLOBAL ID：201102214062284862   Reference number：11A1568594

CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding

直接ウエハ接合を用いた自己整合Ni系金属S/D型InGaAs nMOSFETのCMOS集積化

Author (16)： YOKOYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KIM S. H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ZHANG R. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAOKA N. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  URABE Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAKAGI H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YASUDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA H. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ICHIKAWA O. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  FUKUHARA N. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SUGIYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2011  Page： 60-61  Publication year： 2011 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *wafer ,  *self alignment ,  *nickel ,  source ,  drain(semiconductor) ,  *indium gallium arsenide ,  N-type semiconductor ,  *MOSFET ,  *CMOS structure ,  *gate(semiconductor) ,  metallic material ,  permittivity ,  *carrier mobility ,  *MOS integrated circuit ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： nMOSFET ,  metal gate ,  hole mobility ,  electron mobility

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (8)： ウエハ接合 ,  自己整合 ,  Ni系金属 ,  D型 ,  InGaAs ,  nMOSFET ,  CMOS ,  集積化