Art

J-GLOBAL ID：201102214585752924   Reference number：11A0535656

The determination of the thickness of the silicon oxide film by synchrotron radiation x-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) analysis

酸化ケイ素膜の厚さのシンクロトロン放射X線光電子分光法(SR-XPS)分析による決定

Author (6)： IMAMURA M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  IMAMURA M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MATSUBAYASHI N (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FAN J (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA I (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SASAKI M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Measurement Science and Technology  (Meas Sci Technol)
Volume： 22  Issue： 2  Page： 024007,1-5  Publication year： Feb. 2011 
JST Material Number： C0354C  ISSN： 0957-0233  CODEN： MSTCEP  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon oxide ,  membrane and film ,  thickness ,  synchrotron radiation ,  *X-ray photoelectron spectroscopy ,  photoelectron ,  attenuation ,  energy ,  *thin film ,  analysis (separation)

JST classification (1)： Other phsical analysis  (CC03014E)

Terms in the title (7)： 酸化ケイ素膜 ,  厚さ ,  シンクロトロン放射X線 ,  光電子分光法 ,  Sr ,  XPS ,  分析