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J-GLOBAL ID：201102226684531016   Reference number：11A1598446

Photoluminescence Characteristics of Amorphous Si Film Fabricated from TEOS Gas and Nitrogen Plasma

TEOSガスと窒素プラズマから作製したアモルファスSi薄膜のフォトルミネッセンス特性

Author (3)： FUNATSU Tomoki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAJIYAMA Yutaka (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KATO Isamu (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Advances in Applied Plasma Science  (Proceedings of the International Symposium on Applied Plasma Science)
Volume： 8  Page： 173-174  Publication year： Sep. 10, 2011 
JST Material Number： L7228A  CODEN： AAPSFY  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous silicon ,  semiconductor thin film ,  mixed gas ,  Nitrogen ,  *photoluminescence ,  microwave discharge ,  *plasma CVD ,  thin film growth ,  visible emission spectrum ,  radiant intensity ,  aliphatic alcohol ,  inorganic acid ester ,  microwave plasma CVD
Semi thesaurus term： microwave plasma chemical vapor deposition

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Substance index (1)： Tetraethoxysilane

Terms in the title (6)： TEOS ,  窒素プラズマ ,  作製 ,  アモルファス ,  Si薄膜 ,  フォトルミネッセンス