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J-GLOBAL ID：201102227688860053   Reference number：11A1301717

Boron diffusion behavior in silicon during shallow p⁺/n junction formation by non-melt excimer laser annealing

非融解エキシマレーザアニーリングによる浅いp⁺/n接合の形成時のシリコン中でのホウ素の拡散挙動

Author (3)： AID Siti Rahmah (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  MATSUMOTO Satoru (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  FUSE Genshu (SEN Corp., Tokyo, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 208  Issue： 7  Page： 1646-1651  Publication year： Jul. 2011 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *laser annealing ,  *boron ,  ion implantation ,  excimer laser ,  *PN junction ,  silicon ,  *anomalous diffusion ,  impurity diffusion ,  doping ,  diffusion in solid

JST classification (2)： Diffusion in solids in general  (BL06021L) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (7)： 融解 ,  エキシマレーザ ,  アニーリング ,  シリコン ,  ホウ素 ,  拡散 ,  挙動