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J-GLOBAL ID：201102239298797022   Reference number：11A0866961

Solubility of GaN in Supercritical Ammonia

高圧力下での結晶成長 超臨界アンモニアへのGaNの溶解度

Author (2)： TOMITA DAISUKE (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ) ,  YOKOYAMA CHIAKI (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 38  Issue： 1  Page： 31-35  Publication year： Apr. 2011 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solution growth ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *solubility (ratio) ,  mineralizer ,  additive effect
Semi thesaurus term： *ammonothermal growth

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (12)：

• POROWSKI, S. J. Cryst. Growth. 1996, 166, 583
• DWILINSKI, R. Acta Phys. Pol. A. 1996, 90, 763
• YAMANE, H. J. Cryst. Growth. 1998, 186, 8
• HASHIMOTO, T. J. Cryst. Growth. 2005, 275, 525
• WANG, B. J. Cryst. Growth. 2006, 287, 376

Terms in the title (6)： 高圧力 ,  結晶成長 ,  超臨界 ,  アンモニア ,  GaN ,  溶解度