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J-GLOBAL ID：201102243858820570   Reference number：11A0955227

鉄微粒子を用いた2インチ単結晶4H-SiC基板のダメージフリー平坦化

Author (5)： KUBOTA AKIHISA (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  YOSHIMURA MASAHIKO (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  ICHIMORI YUYA (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  NAKANISHI YOSHITAKA (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  TOGE MUTSUMI (熊本大 大学院自然科学研究科)
Material： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
Volume： 2011  Issue： 春季(CD-ROM)  Page： ROMBUNNO.G13  Publication year： Mar. 01, 2011 
JST Material Number： Y0914A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *modification ,  *silicon carbide ,  *power transistor ,  Hydrogen Peroxide ,  lapping ,  machining
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  *flattening

JST classification (1)： Grinding  (QC03000R)

Terms in the title (7)： 鉄 ,  微粒子 ,  インチ ,  単結晶 ,  4H-SiC ,  ダメージ ,  平坦化