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J-GLOBAL ID：201102255473016158   Reference number：11A0944063

Enhancing Single-Ion Detection Efficiency by Applying Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-Ion Doping

決定論的単一イオンドーピングのための基板バイアス電圧適用による単一イオン検出効率の増強

Author (8)： HORI Masahiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINADA Takahiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TAIRA Keigo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOMATSUBARA Akira (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ONO Yukinori (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANII Takashi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHDOMARI Iwao (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 4  Page： 046501.1-046501.3  Publication year： Apr. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *doping ,  ion implantation ,  voltage ,  detection efficiency ,  *secondary electron emission ,  *ion
Semi thesaurus term： bias voltage ,  イオン数 ,  *単一イオンドーピング

JST classification (2)： Interactions with ions  (BK16070Z) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (15)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2009 Edition. http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm
• MIZUNO, T. IEEE Trans. Electron Devices. 1994, 41, 2216
• ASENOV, A. IEEE Trans. Electron Devices. 1998, 45, 2505
• TAKEUCHI, K. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 467
• HORI, M. Nanotechnology. 2009, 20, 365205

Terms in the title (5)： イオン ,  ドーピング ,  バイアス電圧 ,  検出効率 ,  増強