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J-GLOBAL ID：201102273145667417   Reference number：11A1050672

Intrinsic Mechanisms of Memristive Switching

メムリスティックスイッチングの固有の機構

Author (10)： NAGASHIMA Kazuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YANAGIDA Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YANAGIDA Takeshi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  OKA Keisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANAI Masaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KLAMCHUEN Annop (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIM Jin-Soo (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Bae Ho (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  KAWAI Tomoji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAI Tomoji (Konkuk Univ., Seoul, KOR)
Material： Nano Letters  (Nano Lett)
Volume： 11  Issue： 5  Page： 2114-2118  Publication year： May. 2011 
JST Material Number： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： RAM ,  *semiconductor device ,  *nonvolatile memory ,  *switching ,  *cobalt oxide ,  *nanowire ,  magnesium oxide ,  structure ,  P-type semiconductor ,  oxidation-reduction reaction ,  *MSM structure ,  current-voltage characteristic ,  core-shell structure ,  *resistance switching ,  resistance random access memory
Semi thesaurus term： resistance random access memory ,  *memristor

JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (1)： 固有