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J-GLOBAL ID：201102276561433491   Reference number：11A1814535

Fixed nitrogen atoms in the SiO₂/SiC interface region and their direct relationship to interface trap density

SiO₂/SiC界面領域における固定窒素原子と界面トラップ密度との直接的な関係

Author (3)： KOSUGI R. (Advanced Power Electronics Res. Center (ADPERC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...) ,  UMEDA T. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, JPN) ,  SAKUMA Y. (Advanced Power Electronics Res. Center (ADPERC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 99  Issue： 18  Page： 182111  Publication year： Oct. 31, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon dioxide ,  dielectric thin film ,  *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  *interface (surface) ,  Nitrogen ,  trapping center ,  defect density ,  impurity ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  capacitance-voltage characteristic ,  nitrogen monoxide ,  atmosphere (environment) ,  annealing (heat treatment) ,  oxide film ,  hydrogen fluoride ,  etching ,  X-ray photoelectron spectrum ,  conversion coating film
Semi thesaurus term： gate dielectric ,  界面捕獲中心

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (6)： SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  窒素原子 ,  界面トラップ ,  密度