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J-GLOBAL ID：201102285038296501   Reference number：11A1892230

Effect of electron injection into phosphorus donors in silicon-on-insulator channel observed by Kelvin probe force microscopy

ケルビンプローブフォース顕微鏡により観察されたシリコン-オン-インシュレータチャネル中のリンドナーへの電子注入の効果

Author (7)： ANWAR Miftahul (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  NOWAK Roland (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MORARU Daniel (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  UDHIARTO Arief (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  JABLONSKI Ryszard (Div. of Sensors and Measuring Systems, Warsaw Univ. of Technol., Sw. A. Boboli 8, 02-525 Warsaw, POL) ,  TABE Michiharu (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 99  Issue： 21  Page： 213101  Publication year： Nov. 21, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： force microscope ,  SOI structure ,  *MOSFET ,  channel ,  *carrier injection ,  *donor ,  *single electron tunnel effect ,  low temperature ,  phosphorus ,  Kelvin probe force microscope ,  *electron injection

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ケルビンプローブフォース顕微鏡 ,  観察 ,  シリコン-オン-インシュレータ ,  チャネル ,  リン ,  ドナー ,  電子注入