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J-GLOBAL ID：201102285919861724   Reference number：11A0128904

Artificial Surface Control of Gallium Oxide Semiconductors and Growth of High Quality Single-crystalline Thin Films

酸化ガリウム半導体の表面制御と高品質単結晶薄膜の作製

Author (5)： FUJITA SHIZUO (京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター) ,  OSHIMA TAKAYOSHI (京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター) ,  OSHIMA TAKAYOSHI (京都大学工学研究科電子工学専攻) ,  KANEKO KENTARO (京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター) ,  KANEKO KENTARO (京都大学工学研究科電子工学専攻)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 31  Issue： 12  Page： 643-650 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  raw material ,  surface treatment ,  ultraviolet radiation ,  photodetector ,  *homoepitaxy ,  step flow ,  *gallium oxide ,  RHEED ,  floating zone melting ,  single crystal ,  semiconductor alloys ,  Green Materials ,  wide band gap semiconductor ,  *oxide semiconductor ,  deep UV

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (37)：

• 1) Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo and S. Nakagomi: Appl. Phys. Lett. 90, 031912 (2007).
• 2) C.-C. Chen and C.-C. Chen: J. Mater. Res. 19, 1105 (2004).
• 3) M. Ogita, K. Higo, Y. Nakanishi and Y. Hatanaka: Appl. Surf. Sci. 175, 721 (2001).
• 4) K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 88, 092106 (2006).
• 5) H. Hayashi, R. Huang, H. Ikeno, F. Oba, S. Yoshioka, I. Tanaka and S. Sonoda: Appl. Phys. Lett. 89, 181903 (2006).

Terms in the title (4)： 酸化ガリウム ,  高品質 ,  単結晶薄膜 ,  作製