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J-GLOBAL ID：201102290438534839   Reference number：11A1491878

マイクロ波プラズマCVD法によりTEOSで作製したSi薄膜からの発光特性

Author (3)： FUNATSU TOMOKI (早稲田大 大学院) ,  KAJIYAMA YUTAKA (早稲田大 大学院) ,  KATO ISAMU (早稲田大 大学院)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 72nd  Page： ROMBUNNO.31P-P6-5  Publication year： Aug. 16, 2011 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma CVD ,  microwave ,  manufacturing ,  semiconductor thin film ,  *thin film ,  silicon ,  nitrogen ,  gas ,  silane ,  microsphere ,  hydride ,  silicon compound ,  nitride ,  safety ,  fluorescence spectrum ,  photoluminescence ,  laser excitation ,  scanning electron microscope ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  ESR ,  radiant intensity ,  film thickness ,  oxidation ,  heat treatment ,  aliphatic alcohol ,  inorganic acid ester
Semi thesaurus term： MPCVD ,  SEM (microscope) ,  Si ,  XPS ,  nanoball ,  monosilane ,  *phosphor thin film ,  manufacturing ,  nitrogen gas ,  emission intensity ,  luminescence characteristics

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Tetraethoxysilane

Terms in the title (5)： マイクロ波プラズマCVD ,  TEOS ,  作製 ,  Si薄膜 ,  発光特性