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J-GLOBAL ID：201102293819623160   Reference number：11A1568595

Scalable TaN Metal Source/Drain & Gate InGaAs/Ge n/pMOSFETs

スケーラブルTaN金属ソース/ドレイン&ゲートInGaAs/Ge系n/pMOSFET

Author (11)： MAEDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  URABE Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ITATANI T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ISHII H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIYATA N. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YASUDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMADA H. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  YOKOYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2011  Page： 62-63  Publication year： 2011 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *scaling ,  *nitride ,  *tantalum compound ,  *metallic material ,  *source ,  *drain (semiconductor) ,  *gate (semiconductor) ,  indium gallium arsenide ,  Germanium ,  P-type semiconductor ,  *MOSFET ,  N-type semiconductor ,  CMOS structure ,  carrier mobility ,  current-voltage characteristic ,  current density ,  MOS structure
Semi thesaurus term： 短チャンネル効果

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： ソース ,  ドレイン ,  ゲート ,  InGaAs ,  Ge ,  pMOSFET