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J-GLOBAL ID：201102299202308940   Reference number：11A0571793

Self-Aligned Metal Double-Gate Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors on Glass Substrate Using Back-Surface Exposure

背面暴露を使ってガラス基板上に自己-整列した金属二重ゲート低温多結晶Si TFT

Author (5)： HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  SATO Tadashi (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  KONDO Kenji (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  HIROSE Kenta (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 2  Page： 021401.1-021401.4  Publication year： Feb. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Glass ,  substrate (plate) ,  *self assembly ,  polycrystal ,  silicon ,  *thin film transistor ,  channel ,  gate (semiconductor) ,  mobility (ratio) ,  exposure

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• A. O. Adan, S. Ono, H. Shibayama, and R. Miyake: IEDM Tech. Dig., 1990, P. 399.
• A. O. Adan, K. Suzuki, H. Shibayama, and R. Miyake: VLSI Tech. Dig., 1990, p. 19.
• A. Kumar K. P., J. K. O. Sin, C. T. Nguyen, and P. K. Ko: IEEE Trans. Electron Devices 45(1998)2514.
• K. Makihira, K. Nakagawa, and T. Asano: AM-LCD Tech. Dig., 2001, p. 243.
• S. Zhang, R. Han, J. K. O. Sin, and M. Chan: IEEE Electron Device Lett.22(2001)530.

Terms in the title (9)： 背面 ,  暴露 ,  ガラス基板 ,  自己 ,  整列 ,  二重ゲート ,  低温 ,  多結晶Si ,  TFT