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J-GLOBAL ID：201103003297898682

単結晶ダイヤモンド・エアギャップ構造体及びその作製方法

Inventor： リャオ メイヨン ,  小出 康夫 ,  菱田 俊一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010035602
Publication number (International publication number)：2011168460
Application date： Feb. 22, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：

【課題】ナノおよびマイクロマシン(N/MEMS)デバイスに単結晶ダイヤモンドを利用することは困難であり、報告例がなかった。それは、犠牲層である酸化物上に単結晶ダイヤモンドを成長させることが困難なためである。従来技術では、犠牲層酸化物上に多結晶或いはナノダイヤモンドを作製することによって、カンチレバー等を作製しているが、機械性能、振動特性、安定性及び再現性は不十分であった。 【解決手段】本発明は、ダイヤモンド基板101内の高濃度イオン注入領域がグラファイトに改質されることを利用し、改質されたグラファイト層104を犠牲層として電気化学エッチング除去し、その上に遺されたダイヤモンド層を可動構造体とする。作製されたカンチレバー106は高い周波数の共鳴振動を示した。単結晶ダイヤモンドを使用することによって、N/MEMSデバイスの機械性能、安定性および電気特性を改良することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶ダイヤモンド基板上に前記単結晶ダイヤモンド基板と一体に設けられるとともに、前記単結晶ダイヤモンド基板との間に空隙が形成された、単結晶ダイヤモンド・エアギャップ構造体。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  G01B 7/16 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/306

FI (5)：

C30B29/04 W ,  G01B7/16 R ,  C30B29/04 V ,  C23C16/27 ,  H01L21/302 105A

F-Term (31)：

2F063AA25 ,  2F063AA42 ,  2F063BA30 ,  2F063FA18 ,  2F063FA20 ,  4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077FD04 ,  4G077FG02 ,  4G077FG18 ,  4G077TB07 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  5F004AA04 ,  5F004BB14 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンド製医療装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-551323   Applicant：アポロダイヤモンド,インク
• 機械量センサ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-060332   Applicant：松下電器産業株式会社