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J-GLOBAL ID：201103009372072572

グラフェン膜の製造方法

Inventor：
藤井 健志

About 藤井 健志

, 
清水 了典

About 清水 了典


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 松井 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010034152
Publication number (International publication number)：2011168449
Application date： Feb. 19, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：
【課題】基板選択の自由度が高く、簡易な方法で大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。【解決手段】酸化グラフェンを含む懸濁液を基板に流延塗付して流延物を形成し、該流延物を金属ハイドライドの存在下で加熱して還元してグラフェン膜を製造する。金属ハイドライドとしてCaH2を用いることが好ましい。流延物を300〜600°Cの温度で、3時間以上加熱して前記還元を行うことが好ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化グラフェンを含む懸濁液を基板に流延塗付して流延物を形成し、該流延物を金属ハイドライドの存在下で加熱して還元することを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
IPC (1)：
C01B 31/02
FI (1)：
C01B31/02 101F
F-Term (22)：
4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20B ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD30 ,  4G146BA02 ,  4G146BB04 ,  4G146BB05 ,  4G146BB12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC02 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC37A ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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