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J-GLOBAL ID：201103038893233564

グラフェン膜の製造方法

Inventor：
藤井 健志

About 藤井 健志

, 
清水 了典

About 清水 了典


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 松井 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010034150
Publication number (International publication number)：2011168448
Application date： Feb. 19, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：
【課題】基板選択の自由度が高く、大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。【解決手段】種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、CVD法により前記基板上にグラフェン膜を形成する。炭素含有ガスは、炭化水素系化合物及び/又は炭化フッ素系化合物であることが好ましい。基板は、Si基板、SiO2/Si基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。種グラフェン結晶は、グラフェン単層体及び/又はグラフェン積層体であることが好ましい。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、CVD法により前記基板上にグラフェン膜を形成することを特徴とする、グラフェン膜の製造方法。
IPC (2)：
C01B 31/04 ,  C23C 16/26
FI (2)：
C01B31/04 101Z ,  C23C16/26
F-Term (18)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD03 ,  4G146AD23 ,  4G146BA02 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC22 ,  4G146DA16 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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