磁性半導体をメモリに用いる方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西義之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001369900
Publication number (International publication number)：2003174174
Patent number：4494688
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Claim (excerpt)：

【請求項1】酸化亜鉛(ZnO)を母体とする磁性半導体、III-V族化合物半導体を母体とする磁性半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体とする磁性半導体のうち一つを用い、該磁性半導体1に設けたソース(電極)2とドレイン(電極)3、及び絶縁体4を介して設けた透明電極5からなる半導体デバイスの回路において、透明電極5を通して該磁性半導体1に光を照射し、電圧(Vg)をドレイン3と透明電極5間に印加することによって、該磁性導体のスピングラス状態を出発点として、該磁性半導体の複数個存在する準安定状態を経由して、光励起により生成するホール又は電子をスピングラス状態の領域にバイアス電圧を印加することにより導入し、ホール濃度又は電子濃度が該磁性半導体の強磁性転移点を超えたとき、または光励起が励起の限界回数を超えたときにスピングラス状態が安定な基底状態である強磁性ハーフメタル状態に転移することをもって光励起による刺激入力を該磁性半導体に記憶させることを特徴とする磁性半導体をメモリに用いる方法。

IPC (4)：

H01L 29/82 ( 200 6.01) , G06G 7/12 ( 200 6.01) , H01L 21/8246 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/82 Z , G06G 7/12 F , H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電子回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-016018 Applicant：キヤノン株式会社
ニューロ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174558 Applicant：ローム株式会社
ニューロデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-025880 Applicant：沖電気工業株式会社