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J-GLOBAL ID：201103014540358260

SiC単結晶の製造方法

Inventor：
石井 伴和

About 石井 伴和


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010033949
Publication number (International publication number)：2011168447
Application date： Feb. 18, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：
【課題】種結晶及びその近傍に付着する多結晶を抑制することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】種結晶保持部の下端に保持された第1の種結晶を坩堝内の原料融液に浸漬させることにより前記第1の種結晶上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、前記第1の種結晶以外の部分で、多結晶の成長を促進させる処理が行われることを特徴とするSiC単結晶の製造方法が提供される。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
種結晶保持部の下端に保持された第1の種結晶を坩堝内の原料融液に浸漬させることにより前記第1の種結晶上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、 前記第1の種結晶以外の部分で、多結晶の成長を促進させる処理が行われることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
F-Term (11)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA11 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38 ,  4G077QA52
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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