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J-GLOBAL ID：201103019037655275

p型AlGaN層の製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子

Inventor：
大鹿 嘉和

About 大鹿 嘉和

, 
松浦 哲也

About 松浦 哲也


Applicant, Patent owner：
DOWAエレクトロニクス株式会社

About DOWAエレクトロニクス株式会社


Agent (3)： 杉村 憲司 ,  塚中 哲雄 ,  川原 敬祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010275128
Publication number (International publication number)：2011142317
Application date： Dec. 09, 2010
Publication date： Jul. 21, 2011
Summary：
【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたp型AlGaN層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量A1(0≦A1)で供給するとともに、V族原料ガスをV族原料ガス流量B1(0<B1)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C1(0<C1)で供給する第1工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量A2(0<A2)で供給するとともに、V族原料ガスをV族原料ガス流量B2(0<B2)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C2(0<C2)で供給する第2工程とを複数回繰り返すことによりp型AlxGa1-xN層(0≦x<1)を形成し、前記III族原料ガス流量A1はp型AlxGa1-xN層を層成長させない流量であって、A1≦0.5A2であることを特徴とする。【選択図】 図9
Claim (excerpt)：
MOCVD法を用いて、マグネシウムをドープした一つのp型AlxGa1-xN層(0≦x<1)を形成するにあたり、 III族原料ガスをIII族原料ガス流量A1(0≦A1)で供給するとともに、 V族原料ガスをV族原料ガス流量B1(0<B1)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C1(0<C1)で供給する第1工程と、 III族原料ガスをIII族原料ガス流量A2(0<A2)で供給するとともに、 V族原料ガスをV族原料ガス流量B2(0<B2)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C2(0<C2)で供給する第2工程と を複数回繰り返すことにより前記p型AlxGa1-xN層を形成し、 前記III族原料ガス流量A1は前記p型AlxGa1-xN層を層成長させない流量であって、A1≦0.5A2であることを特徴とするp型AlGaN層の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C23C 16/34
FI (3)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  C23C16/34
F-Term (45)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA60 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE15 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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