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J-GLOBAL ID：200903048835880123

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法

Inventor：
栗原 香

About 栗原 香

, 
堀江 秀善

About 堀江 秀善


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (3)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006252578
Publication number (International publication number)：2008078186
Application date： Sep. 19, 2006
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：
【課題】バルク全体にわたってp型窒化物系化合物半導体結晶の低抵抗化が可能で、しかも欠陥レベルの低い、高品質の窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。【解決手段】窒素原料ガスとしてアンモニアと有機窒素化合物とを含有するガスが供給され、窒化物系化合物半導体膜がエピタキシャル成長される。この窒化物系化合物半導体の単一の膜の成膜プロセス中に、窒素原料ガス中のアンモニアと有機窒素化合物のモル流量を制御して、有機窒素化合物(xモル)とアンモニアの(yモル)の供給モル比(R=x/(x+y))を変化させる。成膜は主として供給モル比が小さな領域で行い、供給モル比が大きい領域では膜中に混入した水素が外方拡散により脱離する。また、窒化物系化合物半導体膜が所望の厚みとなるまで、上記の成膜工程と成膜中アニール工程を複数回繰り返す。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも1層の窒化物系化合物半導体膜を気相成長させる窒化物系化合物半導体の結晶成長方法であって、 前記窒化物系化合物半導体の何れかの膜を気相成長させる際に、有機窒素化合物(xモル)とアンモニア(NH3)(yモル)とを含有する窒素原料ガスを供給し、該窒素原料ガス中の有機窒素化合物(xモル)の供給モル比(R=x/(x+y))を変化させる成膜プロセスを備えていることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  C23C 16/34
FI (3)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  C23C16/34
F-Term (31)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA24 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA26 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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