Pat

J-GLOBAL ID：200903087821142320

III族窒化物半導体結晶およびその製造方法、III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器

Inventor： 中畑 成二 ,  中幡 英章 ,  上松 康二 ,  木山 誠 ,  永井 陽一 ,  中村 孝夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005117967
Publication number (International publication number)：2006005331
Application date： Apr. 15, 2005
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】 半導体デバイス程度の大きさのIII族窒化物半導体結晶およびその製造方法、III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。【解決手段】 下地基板1上に1以上のIII族窒化物半導体結晶基板11を成長させる工程と、III族窒化物半導体結晶基板11上に1層以上のIII族窒化物半導体結晶層12を成長させる工程と、III族窒化物半導体結晶基板11およびIII族窒化物半導体結晶層12から構成されるIII族窒化物半導体結晶10を下地基板1から分離する工程とを含み、III族窒化物半導体結晶10の厚さが10μm以上600μm以下、幅が0.2mm以上50mm以下であるIII族窒化物半導体結晶の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

下地基板上に1個以上のIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程と、前記III族窒化物半導体結晶を前記下地基板から分離する工程とを含み、 前記III族窒化物半導体結晶の厚さが10μm以上600μm以下、幅が0.2mm以上50mm以下であるIII族窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (43)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA22 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA22 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DB01 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08 ,  5F045HA14 ,  5F045HA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-363030   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335580   Applicant：エルジー電子株式会社

Cited by examiner (7)

• 化合物半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-011855   Applicant：松下電器産業株式会社
• 脆弱なポスト上に窒化ガリウム半導体層を作製するペンデオエピタキシャル法及びそれによって作製した窒化ガリウム半導体構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-547638   Applicant：ノースカロライナステートユニバーシティ
• 半導体基板の作製方法および半導体基板および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-067498   Applicant：株式会社リコー
• III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-084963   Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-363030   Applicant：日亜化学工業株式会社
• エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-301301   Applicant：株式会社東芝
• 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-363269   Applicant：日立電線株式会社