微細構造転写方法およびその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010262320
Publication number (International publication number)：2011211157
Application date： Nov. 25, 2010
Publication date： Oct. 20, 2011
Summary：

【課題】微細構造転写方法およびその装置において、比較的コンパクトな装置でかつ高いスループットで泡の入り込みを防止しつつパターンの転写を実現可能にする。【解決手段】微細構造を転写する方法において、表面にレジストがコーティングされた被転写体に裏面を真空吸引してスタンパを密着、加圧させる際に、スタンパを球面状に変形または湾曲させて密着面を中心部から周辺部に拡大させていくことで被転写体とスタンパとの間に気泡の入り込みを防止した。【選択図】図5C

Claim (excerpt)：

両面にレジストを塗布した基板の前記両面にパターンが形成された1対のスタンパを押し当てて該1対のスタンパに形成されたパターンを前記基板の前記両面に塗布したレジストに転写する方法であって、前記1対のスタンパをそれぞれ凸形状に変形させ、該凸形状に変形させた1対のスタンパを前記両面にレジストが塗布された基板の前記両面に垂直な方向に移動させて前記1対のスタンパの凸形状の中央部から周辺部に向かって徐々に前記基板の両面に押付け、前記1対のスタンパを所定の量押付けた状態で前記1対のスタンパの凸形状の変形を解除して前記1対のスタンパを前記基板の両面に押付け、前記1対のスタンパの凸形状の変形を解除して前記基板の両面に押付けた状態で前記基板の両面に塗布されたレジストにUV光を照射して前記基板の両面のレジストを露光し、前記露光したレジストが硬化した後に前記1対のスタンパを順次前記基板から剥離することを特徴とする微細構造転写方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , B29C 59/02

FI (2)：

H01L21/30 502D , B29C59/02 Z

F-Term (13)：

4F209AA44 , 4F209AD08 , 4F209AF01 , 4F209AG03 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

インプリントリソグラフィに使用されるナノディスクを形成するためのシステムおよび方法ならびにそれによって形成されたナノディスクおよびメモリディスク
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-546900 Applicant：エーエスエムエルホールディングエヌ.ブイ.
デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-224839 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-078460 Applicant：株式会社日立製作所

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