青色発光Si:SiO2膜とそれを具備した青色発光素子ならびに青色発光Si:SiO2膜の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002246686
Publication number (International publication number)：2004083740
Patent number：3830876
Application date： Aug. 27, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板上にスパッタリングにより成膜された青色発光Si:SiO2膜であって、SiO2中にSiが、(ターゲットの面積比)×(成膜レートの比)で示される膜全体に対する体積比率で0.75%以上4.5%以下の割合で含有され、青色領域に発光ピークを有することを特徴とする青色発光Si:SiO2膜。

IPC (6)：

C09K 11/59 ( 200 6.01) , C09K 11/00 ( 200 6.01) , C09K 11/08 ( 200 6.01) , C23C 14/10 ( 200 6.01) , C23C 14/34 ( 200 6.01) , H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (6)：

C09K 11/59 , C09K 11/00 A , C09K 11/08 A , C23C 14/10 , C23C 14/34 C , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

シリコン系発光材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-235785 Applicant：株式会社東芝
発光型表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-280369 Applicant：カシオ計算機株式会社
ルミネッセンスシリコン材料及びその形成方法及びルミネッセンス基材の処理方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-063756 Applicant：ユニバーシティオブサリー

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