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J-GLOBAL ID：201103036086643160

負のグース-ヘンシェンシフトを利用した光素子

Inventor： 崔 永完 ,  ▲呉▼ 錦潤 ,  金 斗根 ,  金 弘昇
Applicant, Patent owner： 財団法人 中央大学校 産学協力団
Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010231867
Publication number (International publication number)：2011164577
Application date： Oct. 14, 2010
Publication date： Aug. 25, 2011
Summary：

【課題】 負のグース-ヘンシェンシフトを利用して光速度を遅延させる光素子を提供する。【解決手段】 入射された光をガイドして出射する光導波路と、光導波路の一側に形成されている第1反射層と、光導波路の他側に形成されている第2反射層と、を備え、第1反射層及び第2反射層のうち少なくとも一つは、負のグース-ヘンシェンシフト特性を表す物質からなる光素子。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

入射された光をガイドして出射する光導波路と、 前記光導波路の一側に形成されている第1反射層と、 前記光導波路の他側に形成されている第2反射層と、を備え、 前記第1反射層及び前記第2反射層のうち少なくとも一つは、負のグース-ヘンシェンシフト特性を表す物質からなることを特徴とする光素子。

IPC (3)：

G02B 6/122 ,  G02F 1/035 ,  G02B 6/12

FI (3)：

G02B6/12 A ,  G02F1/035 ,  G02B6/12 J

F-Term (13)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA03 ,  2H079EA01 ,  2H079EB04 ,  2H147AB11 ,  2H147AC01 ,  2H147AC17 ,  2H147BA01 ,  2H147EA10B ,  2H147EA12A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光機能素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-149157   Applicant：株式会社東芝
• 電気光学的導波路デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-177470   Applicant：イギリス国