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J-GLOBAL ID：201103043105161420

半導体メモリ

Inventor： 中田 俊司 ,  武藤 伸一郎 ,  森本 章治 ,  川江 健 ,  前田 諒二
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人金沢大学
Agent (2)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010039738
Publication number (International publication number)：2011176168
Application date： Feb. 25, 2010
Publication date： Sep. 08, 2011
Summary：

【課題】Al-rich Al2O3の電荷蓄積層において、Alの組成の関数として電荷蓄積密度を解析し、電荷蓄積密度が最大となるような半導体メモリを提供する。【解決手段】半導体基板の上面に順次、トンネル障壁層、電荷蓄積層、ブロック障壁層、ゲート電極を積層し、電荷蓄積層の局在準位に電子を蓄積することによりトランジスタのしきい値電圧を変化させる半導体メモリにおいて、電荷蓄積層をアルミニウム過剰の酸化アルミニウム(Al-rich Al2O3)とし、そのアルミニウムの組成を所定の範囲に設定し、電荷蓄積層の電荷蓄積密度が最大値(極大値)を含む所定値以上になる構成とした。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体基板の上面に順次、トンネル障壁層、電荷蓄積層、ブロック障壁層、ゲート電極を積層し、前記電荷蓄積層の局在準位に電子を蓄積することによりトランジスタのしきい値電圧を変化させる半導体メモリにおいて、 前記電荷蓄積層をアルミニウム過剰の酸化アルミニウム(Al-rich Al2O3 )とし、そのアルミニウムの組成を所定の範囲に設定し、前記電荷蓄積層の電荷蓄積密度が最大値(極大値)を含む所定値以上になる構成とした ことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

F-Term (10)：

5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083JA03 ,  5F083JA36 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 記憶素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-032911   Applicant：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
• 電荷蓄積型メモリ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-422127   Applicant：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社