レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法及びヒータを有するレーザリフトオフ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010005542
Publication number (International publication number)：2011049518
Application date： Jan. 14, 2010
Publication date： Mar. 10, 2011
Summary：

【課題】レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法は、第1の基板上に第1の導電型化合物半導体層、活性層及び第2の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第1の基板の温度が室温より高い第1の温度で、前記エピ層に前記第1の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第2の基板をボンディングさせ、前記第1の基板の温度が室温より高くて前記第1の温度以下の第2の温度で、前記第1の基板を介してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第1の基板を分離することを含む。これにより、レーザリフトオフ工程でレーザビームの焦点を合せることが容易で、またエピ層のクラックを防止できる。また、ヒータを有するレーザリフトオフ装置が開示される。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

第1の基板上に第1の導電型化合物半導体層、活性層及び第2の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第1の基板の温度が室温より高い第1の温度で、前記エピ層に前記第1の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第2の基板をボンディングし、前記第1の基板の温度が室温より高く前記第1の温度以下の第2の温度で、前記第1の基板を通してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第1の基板を分離することを含む発光ダイオードの製造方法。

IPC (6)：

H01L 33/32 , B23K 26/00 , B23K 26/10 , B23K 26/42 , B32B 37/06 , B32B 9/00

FI (6)：

H01L33/00 186 , B23K26/00 H , B23K26/10 , B23K26/42 , B32B31/26 , B32B9/00 A

F-Term (23)：

3C069CA05 , 3C069EA05 , 4E068AJ03 , 4E068CA09 , 4E068CE09 , 4E068DA09 , 4E068DB11 , 4F100AA19A , 4F100AB21G , 4F100AB25G , 4F100AB31G , 4F100AT00A , 4F100AT00E , 4F100EH66 , 4F100GB41 , 4F100JG01B , 4F100JG01D , 4F100JG10B , 4F100JG10D , 4F100JL00 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-064726 Applicant：松下電器産業株式会社
III族窒化物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-139478 Applicant：豊田合成株式会社
特開昭62-219930

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