光ファイバー結合外部共振器型半導体レーザーを用いたガス検出センサー

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009276793
Publication number (International publication number)：2011119541
Application date： Dec. 04, 2009
Publication date： Jun. 16, 2011
Summary：

【課題】ファイバーの結合効率を高め、かつ、発振スペクトルの狭帯域化及び波長を容易に制御できるファイバー結合外部共振器型半導体レーザー、及び該ファイバー結合外部共振器型半導体レーザーを用いた微量ガス検出用センサーを提供する。【解決手段】本発明によって、レーザー光を発振する半導体レーザーと、入射された前記レーザー光の強度を増幅してフィードバックレーザー光を出射する外部共振器と、前記半導体レーザーと前記外部共振器との間に配置され、前記レーザー光を前記外部共振器に出射し、かつ前記フィードバックレーザー光を前記半導体レーザーに入射する光ファイバーと、前記光ファイバーの途中に配置された光ファイバーブラッググレーティングと、を備えることを特徴とするファイバー結合外部共振器型半導体レーザーが提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

レーザー光を発振する半導体レーザーと、入射された前記レーザー光の強度を増幅してフィードバックレーザー光を出射する外部共振器と、前記半導体レーザーと前記外部共振器との間に配置され、前記レーザー光を前記外部共振器に出射し、かつ前記フィードバックレーザー光を前記半導体レーザーに入射する光ファイバーと、前記光ファイバーの途中に配置された光ファイバーブラッググレーティングと、を備えることを特徴とするファイバー結合外部共振器型半導体レーザー。

IPC (3)：

H01S 5/14 , H01S 5/068 , G01N 21/39

FI (3)：

H01S5/14 , H01S5/0687 , G01N21/39

F-Term (21)：

2G059AA01 , 2G059BB01 , 2G059CC05 , 2G059CC13 , 2G059EE01 , 2G059EE12 , 2G059GG01 , 2G059GG09 , 2G059HH01 , 2G059HH02 , 2G059HH03 , 2G059HH09 , 2G059JJ05 , 2G059JJ11 , 2G059JJ12 , 2G059JJ13 , 2G059JJ17 , 2G059KK10 , 2G059LL03 , 5F173AB35 , 5F173AR03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

キャビティリングダウン分光法用の光源を制御するためのシステム及び方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-505651 Applicant：タイガー・オプティクス・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
半導体レーザモジュールおよびレーザ光源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-236870 Applicant：日本電信電話株式会社
外部共振器型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-322842 Applicant：住友電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page