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J-GLOBAL ID：201103050506947562

相変化メモリ

Inventor： ラマニ,プラディープ ,  ポーター,ジョン ディー.
Applicant, Patent owner： マイクロン テクノロジー, インク.
Agent (2)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011501791
Publication number (International publication number)：2011517829
Application date： Mar. 16, 2009
Publication date： Jun. 16, 2011
Summary：

本開示は、相変化メモリセルを動作させるためのデバイスおよび方法を含む。1つ以上の実施形態は、プログラミング信号をメモリセルの相変化材料に印加するステップと、印加されたプログラミング信号のトレーリング部分の大きさを複数の特定のデクリメントに従って連続的に低減するステップとを含む。複数の特定のデクリメントの大きさおよび持続時間は、特定のプログラム値に対応する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

相変化メモリデバイスを動作させる方法であって、 プログラミング信号をメモリセルの相変化材料に印加するステップと、 前記印加されたプログラミング信号のトレーリング部分の大きさを、複数の特定のデクリメントと、特定のプログラム値に対応する前記複数の特定のデクリメントの大きさおよび持続時間とに従って連続的に低減するステップと、 を含む、方法。

IPC (3)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (3)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (8)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特許第6487113号
  
• 相変化メモリアレイのセットプログラミング方法及び書き込みドライバ回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-378128   Applicant：三星電子株式会社
• メモリまたはFPLAとして使用するための通常は単相のカルコゲナイド材料のプログラミング
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-506504   Applicant：オボニックスインク.