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J-GLOBAL ID：201103053078316195

プラズマ処理装置

Inventor：
林 大輔

About 林 大輔


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010059486
Publication number (International publication number)：2011192912
Application date： Mar. 16, 2010
Publication date： Sep. 29, 2011
Summary：
【課題】均質素材の電極及び被駆動体を用いてプラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。【解決手段】減圧可能な処理容器100内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによってウエハWに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置は、複数の細孔Aが形成された誘電体の基材105aと、複数の細孔Aに出し入れ可能な複数の棒状部材Bを含む被駆動体としての可変機構200と、可変機構200を駆動することにより、複数の細孔Aに複数の棒状部材Bを出し入れさせる駆動機構215と、を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
減圧可能な処理容器内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによって被処理体に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、 複数の凹部が形成された誘電体の基材と、 前記複数の凹部に出し入れ可能な複数の凸部材を含む被駆動体と、 前記被駆動体を駆動することにより、前記複数の凹部に前記複数の凸部材を出し入れさせる駆動機構と、 を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M
F-Term (9)：
5F004AA01 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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