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J-GLOBAL ID：201103062419815267

インプリントリソグラフィ用モールド製作方法及びモールド

Inventor：
廣島 洋

About 廣島 洋


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009286145
Publication number (International publication number)：2011129671
Application date： Dec. 17, 2009
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：
【課題】インプリントリソグラフィに使用するモールドの凹部の深さを均一にしつつ、モールド面内の任意位置の一定面積におけるモールド凹部の容積を均一化し、製造コストを低減した上で、優れたモールド特性を実現する。【解決手段】インプリントリソグラフィに使用するモールドを、マスクを用いたエッチングにより製作するモールド製作方法において、モールド面上に所望のパターンを形成するための第1マスクと、第1マスクを覆う第2マスクとを用いてエッチングを行い、第2マスクは、一定の面積内において、モールド面上に形成するパターンの開口率が高いほど、第1マスク開口部を覆う第2マスクの厚みが大きくなるよう設定され、エッチング時、第1マスクによるモールドのエッチングが開始時期を遅延することにより、パターンの開口率が高いほど、エッチングにより形成されるモールド凹部を一定領域内で均一に浅くし、前記一定面積におけるモールド凹部の容積を均一化する。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
インプリントリソグラフィに使用するモールドを、マスクを用いたエッチングにより製作するモールド製作方法において、 モールド面上に所望のパターンを形成するための第1マスクと、前記第1マスクを覆う第2マスクとを用いてエッチングを行い、 前記第2マスクは、一定の面積内において、前記モールド面上に形成するパターンの開口率が高いほど、第1マスク開口部を覆う第2マスクの厚みが大きくなるよう設定され、エッチング時、前記第1マスクによるモールドのエッチングが開始時期を遅延することにより、パターンの開口率が高いほど、エッチングにより形成されるモールド凹部を均一に浅くし、同一開口率で深さが前記一定面積におけるモールド凹部の容積を均一化することを特徴とするインプリントリソグラフィ用モールド製作方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/38
FI (3)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B ,  B29C33/38
F-Term (22)：
4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202CA19 ,  4F202CA27 ,  4F202CD03 ,  4F202CD05 ,  4F202CD24 ,  4F202CK12 ,  4F202CK15 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F146AA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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