記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010249662
Publication number (International publication number)：2011129889
Application date： Nov. 08, 2010
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：

【課題】ロジック回路を増やすことなく、第三者がメモリセルにアクセスできずかつ必要な場合にはいつでもアクセス可能なメモリセルを有する記憶装置を提供する。【解決手段】本実施形態は、第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、第2のメモリセルに設けられた第2のトランジスタの第2のチャネルが酸化物半導体膜からなる記憶装置であって、第2のメモリセルからのデータの読み出しは第2のトランジスタに紫外線を照射している時に行われる記憶装置によって解決する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、前記第1のメモリセルは第1のトランジスタ及び第1のメモリ素子を有し、前記第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、前記第1のゲート電極は第1のワード線の一部である、又は前記第1のワード線に電気的に接続され、前記第1のソース電極及び第1のドレイン電極の一方は第1のビット線の一部である、又は前記第1のビット線に電気的に接続され、他方は前記第1のメモリ素子に電気的に接続され、前記第2のメモリセルは第2のトランジスタ及び第2のメモリ素子を有し、前記第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、前記第2のゲート電極は第2のワード線の一部である、又は前記第2のワード線に電気的に接続され、前記第2のチャネルは酸化物半導体膜からなり、前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第2のビット線の一部である、又は第2のビット線に電気的に接続され、他方は前記第2のメモリ素子に電気的に接続され、紫外線照射前における前記第2のトランジスタのしきい値電圧(V21)は、前記第1のトランジスタのしきい値電圧(V1)よりも高く、紫外線照射時における前記第2のトランジスタのしきい値電圧(V22)は、前記電圧V21よりも低く、紫外線照射後における前記第2のトランジスタのしきい値電圧(V23)は、前記電圧V21よりも低く、かつ前記電圧V22及び前記電圧V1よりも高く、前記第2のメモリ素子に記憶されたデータの読み出しは、紫外線を照射しながら前記第2のトランジスタの第2のゲート電極に電圧(VG)を印加して前記第2のトランジスタをオンにすることによって行うことを特徴とする記憶装置。ただしV1≦VG(電圧VGは電圧V1以上)、V22≦VG<V23<V21(電圧VGは電圧V22以上)である。

IPC (7)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 29/786 , H01L 27/10 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (6)：

H01L27/10 321 , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L27/10 495 , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

F-Term (115)：

5F083AD01 , 5F083AD02 , 5F083AD69 , 5F083ER25 , 5F083ER30 , 5F083GA06 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083LA25 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083ZA10 , 5F083ZA14 , 5F083ZA20 , 5F083ZA23 , 5F101BD01 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE08 , 5F101BE17 , 5F101BF09 , 5F101BF10 , 5F101BG08 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭62-165971
特開昭62-208665
トランジスタ構造及びその製作方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2005-501592 Applicant：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

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