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J-GLOBAL ID：201103071085003206

薄膜積層構造体の製造方法

Inventor： 矢野 満明 ,  井上 正崇 ,  佐々 誠彦 ,  小池 一歩
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  学校法人大阪工大摂南大学
Agent (1)： 滝本 智之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003385344
Publication number (International publication number)：2005145753
Patent number：3929964
Application date： Nov. 14, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶シリコン基板上に弗化カルシウム単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ、前記弗化カルシウム単結晶薄膜上に酸化亜鉛単結晶膜をエピタキシャル成長させる方法であって、前記単結晶シリコン基板表面と接する最初の3分子層未満、厚さにして1nm未満の弗化カルシウム膜の層を、450°C〜900°Cの温度範囲の高温で形成し、それ以降の弗化カルシウム膜を150°C〜400°Cの温度範囲で形成することを特徴とする薄膜積層構造体の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

C30B 29/16 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-361242   Applicant：科学技術振興事業団
• 高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-088231   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開平3-276106
  

Cited by examiner (3)

• 単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-361242   Applicant：科学技術振興事業団
• 高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-088231   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開平3-276106