単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001361242
Publication number (International publication number)：2003165793
Application date： Nov. 27, 2001
Publication date： Jun. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】低コストかつ加工性に優れたシリコン基板上に成長することができ、基板面に垂直方向及び膜面内で結晶完全性が高く、かつ、シリコン基板と電気的に絶縁された酸化亜鉛単結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板1上にフッ化カルシウム単結晶薄膜2をエピタキシャル成長し、フッ化カルシウム単結晶薄膜2上に酸化亜鉛単結晶膜3をエピタキシャル成長する。フッ化カルシウム単結晶薄膜2の厚さが15nm以上であれば、基板面に垂直方向にc軸配向し、膜面内で結晶ドメイン回転のない高品質の酸化亜鉛単結晶膜3が得られる。フッ化カルシウム単結晶薄膜2の厚さが100nm以上であれば、単結晶シリコン基板1と酸化亜鉛単結晶膜3は絶縁分離される。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板上にフッ化カルシウム単結晶薄膜をエピタキシャル成長し、このフッ化カルシウム単結晶薄膜上に酸化亜鉛単結晶膜をエピタキシャル成長することを特徴とする、単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/16 , H01L 41/24

FI (2)：

C30B 29/16 , H01L 41/22 A

F-Term (9)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077DA03 , 4G077DA04 , 4G077DA05 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-088231 Applicant：ホーヤ株式会社
特開平3-276106
金属酸化物構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-292504 Applicant：旭化成株式会社, 斎藤秀俊

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Cited by examiner (7)

高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-088231 Applicant：ホーヤ株式会社
特開平3-276106
特開平3-276106

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