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J-GLOBAL ID：201103072849757274

SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

Inventor：
武藤 大祐

About 武藤 大祐

, 
百瀬 賢治

About 百瀬 賢治

, 
小田原 道哉

About 小田原 道哉


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009283113
Publication number (International publication number)：2011121847
Application date： Dec. 14, 2009
Publication date： Jun. 23, 2011
Summary：
【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比C/Siが0.7〜1.2となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、1600°Cより高くかつ1800°C以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記SiCエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が1個/cm2以下となる。【選択図】図10
Claim (excerpt)：
0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が1個/cm2以下であることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。
IPC (6)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205
FI (6)：
C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C30B25/16 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  H01L21/205
F-Term (43)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE03 ,  4G077EH06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TC06 ,  4G077TC10 ,  4G077TC17 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA13 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE27 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045EB15 ,  5F045GB11 ,  5F045GB19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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