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J-GLOBAL ID：200903047797554261

炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法

Inventor：
丸山 隆之

About 丸山 隆之


Applicant, Patent owner：
株式会社ブリヂストン

About 株式会社ブリヂストン


Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006071468
Publication number (International publication number)：2006321707
Application date： Mar. 15, 2006
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
【課題】バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】α型炭化ケイ素単結晶の(0001)c面から2度未満のオフ角、〈11-20〉方向からのずれが10度未満のオフ方向で切り出した基板上にエピタキシャル成長させた、ウェハ表面に露出した略三角形状の積層欠陥数がウェハ全面で4個/cm2未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
α型炭化ケイ素単結晶の(0001)c面から2度未満のオフ角、〈11-20〉方向からのずれが10度未満のオフ方向で切り出した基板上にエピタキシャル成長させた、ウェハ表面に露出した略三角形状の積層欠陥数がウェハ全面で4個/cm2未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。
IPC (3)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/42
FI (3)：
C30B29/36 A ,  C30B25/18 ,  C23C16/42
F-Term (20)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB15 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TK06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許4912064号
Cited by examiner (3)

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