半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：井上学 , 戸田裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009191589
Publication number (International publication number)：2011044575
Application date： Aug. 21, 2009
Publication date： Mar. 03, 2011
Summary：

【課題】酸化物半導体においてはイオン注入法による拡散層形成が難しいため、バルクシリコンMOSトランジスタや多結晶シリコンTFTのようなイオン注入法を用いた自己整合プロセスを組むことができない。本願では、リフトオフを用いる場合のような不都合の生じない自己整合プロセスを酸化物半導体において実現することを課題とする。【解決手段】裏面露光により製造される薄膜トランジスタ(TFT)において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に金属膜によりソース電極とドレイン電極と酸化物半導体によりチャネル膜を形成し、前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記チャネル膜の上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に、導電膜を形成し、前記導電膜上にネガレジストを塗布し、前記ソース電極と前記ドレイン電極をマスクとして、前記基板の裏面側から前記ネガレジストを露光し、前記ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、前記露光部分をエッチングマスクとする前記導電膜のエッチングにより、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , G02F 1/136

FI (10)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 617T , H01L29/78 617M , H01L29/78 612C , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , H01L21/28 D , G02F1/1368

F-Term (82)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092KA08 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA42 , 2H092NA29 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD62 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F110AA02 , 5F110AA03 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK31 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK39 , 5F110HK42 , 5F110HM03 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08 , 5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-211635
特開平2-128432
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-014836 Applicant：大日本印刷株式会社

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