半導体ダイのための分離されたトランジスタおよびダイオードならびに分離および終端構造

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010548708
Publication number (International publication number)：2011514675
Application date： Feb. 25, 2009
Publication date： May. 06, 2011
Summary：

種々の集積回路デバイス、特にトランジスタがフロア分離領域および基板の表面からフロア分離領域へと延びるトレンチを含む分離構造体の内部に形成される。トレンチは誘電性材料で満たされてもよく、トレンチの壁を覆う誘電性材料を伴って、その中央部に導電性材料を有していてもよい。トレンチを越えてフロア分離領域を延ばし、ガードリングを使用し、ドリフト領域を形成することで分離構造体を終端するための種々の技術が説明される。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板に形成される、分離されたトランジスタであって、前記基板はエピタキシャル層を備えておらず、前記分離されたトランジスタは、前記基板中に埋め込まれた、前記第1の導電型と反対の第2の導電型のフロア分離領域と、前記基板の表面から少なくとも前記フロア分離領域へと延びる第1のトレンチであって、前記トレンチは、誘電性材料を備え、前記トレンチと前記フロア分離領域とはともに前記基板の分離ポケットを形成する、前記第1のトレンチと、前記分離ポケット中の前記基板の前記表面における前記第2の導電型のソース領域と、前記分離ポケット中の前記基板の前記表面において、前記ソース領域から離れて配置される、前記第2の導電型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記基板の前記表面の上に配置されるゲートと、前記ゲートの下の前記基板の前記表面に隣接するチャネル領域と、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間の、前記分離ポケット中の前記第2の導電型のドリフト領域とを備える、分離されたトランジスタ。

IPC (8)：

H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 29/808 , H01L 21/337 , H01L 29/06 , H01L 29/866 , H01L 29/861 , H01L 29/80

FI (13)：

H01L29/78 301D , H01L21/76 M , H01L21/76 L , H01L29/80 C , H01L29/06 301G , H01L29/90 D , H01L29/91 C , H01L21/76 S , H01L29/78 301R , H01L29/78 652G , H01L29/80 W , H01L29/91 K , H01L29/78 652R

F-Term (47)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA47 , 5F032AA84 , 5F032AB03 , 5F032AB05 , 5F032AC01 , 5F032BA01 , 5F032BA05 , 5F032BB01 , 5F032BB06 , 5F032CA01 , 5F032CA03 , 5F032CA15 , 5F032CA16 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC02 , 5F102GD04 , 5F102GJ03 , 5F102GL03 , 5F102GR07 , 5F102GR08 , 5F102GR09 , 5F102GS03 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA01 , 5F140BB13 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BG08 , 5F140BH15 , 5F140BH30 , 5F140BH34 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140CB04 , 5F140CB06 , 5F140CB07 , 5F140CB08 , 5F140CB10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

多層埋め込みトレンチアイソレーション
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059059 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭57-143843
双方向型静電気放電保護素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-211837 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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