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J-GLOBAL ID：201103080201847335
窒化物半導体の微細構造の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009178421
Publication number (International publication number)：2011035078
Application date： Jul. 30, 2009
Publication date： Feb. 17, 2011
Summary：
【課題】半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、 窒化物半導体の主面に形成された細孔と、細孔を除く窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスクと、を備えた半導体構造を用意する工程と、 半導体構造を用意する工程の後に、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、細孔の側壁の少なくとも一部に窒化物半導体の結晶面を形成する第一熱処理工程と、 第一熱処理工程の後に、熱処理用マスクを除去する工程と、 熱処理用マスクを除去する工程の後に、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、側壁に結晶面が形成された細孔の上部を窒化物半導体で塞ぐ第二熱処理工程と、を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、
前記窒化物半導体の主面に形成された細孔と、該細孔を除く該窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスクと、を備えた半導体構造を用意する工程と、
前記半導体構造を用意する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記細孔の側壁の少なくとも一部に前記窒化物半導体の結晶面を形成する第一熱処理工程と、
前記第一熱処理工程の後に、前記熱処理用マスクを除去する工程と、
前記熱処理用マスクを除去する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記側壁に結晶面が形成された前記細孔の上部を窒化物半導体で塞ぐ第二熱処理工程と、
を有することを特徴とする窒化物半導体の微細構造の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (6)：
5F173AB52
, 5F173AB90
, 5F173AH22
, 5F173AP06
, 5F173AP33
, 5F173AP62
