Pat
J-GLOBAL ID:201103086470176003
アントラセンを主成分とする溶液加工性有機半導体
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 小林 良博
, 河野上 正晴
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2010539572
Publication number (International publication number):2011508967
Application date: Nov. 20, 2008
Publication date: Mar. 17, 2011
Summary:
半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法、及び半導体層を半導体デバイス内に提供するために使用可能なコーティング組成物について記載されている。コーティング組成物は、低分子半導体、絶縁ポリマー、並びに低分子半導体材料及び絶縁ポリマーの両方を溶解することができる有機溶媒を含む。低分子半導体は、2つのチオフェン基並びに2つのシリルエチニル基で置換されたアントラセン系化合物(即ち、アントラセン誘導体)である。
Claim (excerpt):
(a)式(I)の低分子半導体
IPC (5):
H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, C07F 7/08
FI (7):
H01L29/28 220A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618E
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250H
, H01L29/28 310A
, C07F7/08 W
F-Term (40):
4H049VN01
, 4H049VP02
, 4H049VQ04
, 4H049VQ08
, 4H049VQ61
, 4H049VR24
, 4H049VU24
, 4H049VU25
, 5F110AA14
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF09
, 5F110GG05
, 5F110GG39
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK33
Patent cited by the Patent: