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J-GLOBAL ID:201103086470176003

アントラセンを主成分とする溶液加工性有機半導体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  河野上 正晴
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2010539572
Publication number (International publication number):2011508967
Application date: Nov. 20, 2008
Publication date: Mar. 17, 2011
Summary:
半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法、及び半導体層を半導体デバイス内に提供するために使用可能なコーティング組成物について記載されている。コーティング組成物は、低分子半導体、絶縁ポリマー、並びに低分子半導体材料及び絶縁ポリマーの両方を溶解することができる有機溶媒を含む。低分子半導体は、2つのチオフェン基並びに2つのシリルエチニル基で置換されたアントラセン系化合物(即ち、アントラセン誘導体)である。
Claim (excerpt):
(a)式(I)の低分子半導体
IPC (5):
H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  C07F 7/08
FI (7):
H01L29/28 220A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310A ,  C07F7/08 W
F-Term (40):
4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ04 ,  4H049VQ08 ,  4H049VQ61 ,  4H049VR24 ,  4H049VU24 ,  4H049VU25 ,  5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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