有機半導体材料,有機半導体膜,有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005273167
Publication number (International publication number)：2007088115
Application date： Sep. 21, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【課題】溶剤溶解性が向上した有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を塗布することによって有機半導体膜が形成可能であり、得られた有機半導体膜を用いて、キャリア移動度が高い、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び、該デバイスまたは該トランジスタを具備する有機EL素子を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (5)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 51/50

FI (5)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , H05B33/14 A

F-Term (31)：

3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社
ダイオード素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-316710 Applicant：松下技研株式会社
αヘキサチエニールを含む製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-039190 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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Cited by examiner (3)

新規有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-262817 Applicant：旭硝子株式会社
発光素子材料およびこれを用いた発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-358843 Applicant：東レ株式会社
化合物、並びに該化合物を用いた光デバイス、電子デバイス、エレクトロルミネッセンス素子、トランジスタ、表示デバイス、及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-180248 Applicant：日本放送協会

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