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J-GLOBAL ID：201103086597084167
テラヘルツ帯複素誘電率測定装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平山 一幸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1999196723
Publication number (International publication number)：2001021503
Patent number：3896532
Application date： Jul. 09, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Claim (excerpt)：
【請求項1】電磁波検出手段に照射されるインコヒーレント光と検出すべき電磁波との相互相関信号を同期検出し、試料を挿入した場合と挿入しない場合の電流信号とから、該試料の電磁波透過率と位相遅れを求め、該電磁波透過率及び位相遅れから上記試料の複素誘電率を測定するテラヘルツ帯複素誘電率測定装置において、
マルチモード半導体レーザーをインコヒーレント光の光源とし、該インコヒーレント光を2光束に分割する光分割手段と、
この分割した一方のインコヒーレント光の照射に基づき1GHzから10THzの周波数成分を含む電磁波を放射する電磁波放射手段と、
上記電磁波放射手段からの電磁波を試料に集光する第1光処理手段と、
上記電磁波を上記試料に透過又は反射させて集光する第2光処理手段と、
分割した他方のインコヒーレント光に時間遅延を与える遅延化処理手段と、
上記第2光処理手段で集光した上記電磁波と上記遅延化された他方のインコヒーレント光とが入射される電磁波検出手段と、を含んで構成され、
上記遅延化処理手段にて、上記光分割手段から上記電磁波検出手段に到達するまでの時間を変えることにより、上記電磁波検出手段に入射される上記電磁波と上記他方のインコヒーレント光との時間相関を得ることを特徴とする、テラヘルツ帯複素誘電率測定装置。
IPC (2)：
G01N 21/35 ( 200 6.01)
, G01N 21/41 ( 200 6.01)
G01N 21/35 Z
, G01N 21/41 Z
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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