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J-GLOBAL ID：201103088324726460

MEMSセンサ

Inventor： 大川 尚信 ,  矢澤 久幸 ,  小林 潔 ,  高橋 亨 ,  宮武 亨 ,  塚本 幸治
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (2)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009185547
Publication number (International publication number)：2011038872
Application date： Aug. 10, 2009
Publication date： Feb. 24, 2011
Summary：

【課題】 特に、絶縁層の幅寸法T1と金属層の幅寸法T2を制御してアンカ部に応力が加わったときのセンサ部の変位量を小さくし、検出精度を向上させることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。【解決手段】 第1部材11と、第2部材12と、第1部材11と第2部材12との間に位置する中間部材13と、中間部材13に形成されたアンカ部14及びアンカ部に接続されたセンサ部15と、第1部材11とアンカ部14間に介在する絶縁層16と、第2部材12とアンカ部14間に介在する金属層17と、を有する。金属層17の外周側面はアンカ部14の外周側面よりも内側に後退している。絶縁層16の幅寸法をT1、金属層17の幅寸法をT2としたとき、T1/T2は、1.5以上で3.3以下の範囲内である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1部材と、第2部材と、前記第1部材と前記第2部材との間に位置する中間部材と、前記中間部材に形成されたアンカ部及び前記アンカ部に接続されたセンサ部と、前記第1部材及び前記アンカ部間に介在する絶縁層と、前記第2部材及び前記アンカ部間に介在する金属層と、を有し、 前記金属層の外周側面は前記アンカ部の外周側面よりも内側に後退しており、 前記絶縁層の幅寸法をT1、前記金属層の幅寸法をT2としたとき、T1/T2は、1.5以上で3.3以下の範囲内であることを特徴とするMEMSセンサ。

IPC (3)：

G01P 15/125 ,  G01P 15/18 ,  H01L 29/84

FI (3)：

G01P15/125 Z ,  G01P15/00 K ,  H01L29/84 Z

F-Term (14)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-004144   Applicant：株式会社デンソー
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-257840   Applicant：株式会社デンソー