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J-GLOBAL ID：200903037992803009

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
藤井 哲夫

About 藤井 哲夫

, 
杉浦 和彦

About 杉浦 和彦


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008004144
Publication number (International publication number)：2009033091
Application date： Jan. 11, 2008
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：
【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部20においてセンサ部10と対向する一面に第1絶縁膜22、第1配線層23、第2絶縁膜24、および第2配線層25によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部10にセンサ構造体15〜17を設ける。そして、キャップ部20とセンサ部10とを接合することで、配線構造をセンサ構造体15〜17に接続しつつ、センサ構造体15〜17を封止する構造とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
一面を有する板状であって、前記一面の表層部にセンサ構造体(15〜17)が形成されたセンサ部(10)と、板状のキャップ部(20)とを備え、前記センサ部(10)の一面に前記キャップ部(20)が接合されてなる半導体装置であって、 前記キャップ部(20)は、前記センサ部(10)が接合される面に、当該センサ部(10)が接合される面の外縁部分と前記センサ構造体(15〜17)とを繋ぐようにパターニングされた配線パターン部(23〜25)を有し、 前記キャップ部(20)が前記センサ部(10)に接合されることで、前記配線パターン部(23〜25)が前記センサ構造体(15〜17)に接続され、前記センサ構造体(15〜17)と外部とが電気的に接続されるようになっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/02 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84
FI (3)：
H01L23/02 J ,  G01P15/08 P ,  H01L29/84 Z
F-Term (26)：
2F105BB13 ,  2F105BB14 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA02 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (1)

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