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J-GLOBAL ID：201103091819789303

センサ、方法、および半導体センサ

Inventor： チェン・ジ-イェン ,  ジェイムズ・ジィ・フィオレンツァ ,  カルバン・シーン ,  アンソニー・ジェイ・ロクテフェルド
Applicant, Patent owner： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010066291
Publication number (International publication number)：2011091354
Application date： Mar. 23, 2010
Publication date： May. 06, 2011
Summary：

【課題】アスペクト比トラッピング材料を用いて、非シリコンベースの半導体デバイスをシリコン製造プロセスに統合する。【解決手段】結晶材料の少なくとも一部にある非シリコン光センスデバイスは、内部の光吸収によって生成された電子を出力することができる。例示的な光センスデバイスは、比較的大きいミクロン寸法を有し得る。例示的な応用例として、アスペクト比トラッピング技術を用いることによって、相補型金属酸化膜半導体光検出器がシリコン基板上に形成される。【選択図】図1a

Claim (excerpt)：

結合部で連結した第1のエピタキシャル結晶構造および第2のエピタキシャル結晶構造を有する基板と、 前記結合部上、または結合部内に形成され、内部の光吸収によって生成された電子を出力するセンス領域と、 前記電子を受けて、出力電気信号を得るように結合されるコンタクトとを備える、センサ。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14

FI (3)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 K

F-Term (24)：

4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA28 ,  4M118GA10 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049QA01 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 転位欠陥密度の低い格子不整合半導体構造およびこれに関連するデバイス製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-512484   Applicant：アンバーウェーブシステムズコーポレイション
• 特開平4-315419
  
• 窒化物半導体素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-090893   Applicant：ソニー株式会社
• 受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-314292   Applicant：学校法人同志社, ALGAN株式会社