受光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：武石靖彦 , 村田紀子 , 徳岡修二 , 重本博充 , 大角菜穂子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005314292
Publication number (International publication number)：2007123588
Application date： Oct. 28, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】受光面積を最大限に取ることが可能であり、しかも、従来よりもS/N比その他の諸特性が良好な半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子1であって、結晶基板2と、その上方に少なくとも1層形成されたn型のIII族窒化物半導体層4と、その上に形成され、上記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極3と、上記埋込電極3、及び前記埋込電極で被覆されていない上記n型のIII族窒化物半導体層4の露出部を被覆する、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層5と、受光面5aとなる上記光感受層5の一方側の面に備え設けられた、上記埋込電極3と対になって受光素子1を構成するショットキー電極6と、からなる受光素子1とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体受光素子であって、結晶基板と、前記結晶基板の上方に少なくとも1層形成された、n型のIII族窒化物半導体層と、前記n型のIII族窒化物半導体層上に形成され、前記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極と、前記埋込電極、及び前記埋込電極で被覆されていない前記n型のIII族窒化物半導体層の露出部を被覆する、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層と、受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、前記埋込電極と対になって受光素子を構成するショットキー電極と、からなることを特徴とする受光素子。

IPC (1)：

H01L 31/108

FI (1)：

H01L31/10 C

F-Term (9)：

5F049MA05 , 5F049MB07 , 5F049NA04 , 5F049QA18 , 5F049SE02 , 5F049SE20 , 5F049SS01 , 5F049SS03 , 5F049WA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

MSM型半導体受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-209061 Applicant：株式会社パウデック
受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-342158 Applicant：株式会社パウデック
III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社

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