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J-GLOBAL ID：201103092799908668

半導体記憶装置

Inventor： 三木 浩史 ,  中井 浩巳 ,  櫛田 惠子 ,  嶋本 泰洋 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  藤崎 芳久
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1998530742
Patent number：3940176
Application date： Jan. 08, 1998
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1の電極と、前記第1の電極と接して設けられた高強誘電体膜と、前記高強誘電体膜に接して設けられた第2の電極とから構成される蓄積容量部と、 前記蓄積容量部上に設けられた水素拡散バリア層と、 前記水素拡散バリア層上に設けられた水素吸着阻止層と、前記水素拡散バリア層と前記水素吸着阻止層との間の反応バリア層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 27/10 311 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 421

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116221   Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-254378   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション