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J-GLOBAL ID：200903089825748888

液相成長法

Inventor：
木村 親夫

About 木村 親夫


Applicant, Patent owner：
木村 親夫

About 木村 親夫

, 
株式会社ケミトロニクス

About 株式会社ケミトロニクス


Agent (1)： 櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005223894
Publication number (International publication number)：2007039267
Application date： Aug. 02, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：
【課題】シリコンカーバイド半導体デバイスなどの製造に適した液相成長法を提供する。【解決手段】本発明の液相成長法は、イオン化された第1の元素を含むプラズマに直流電流を重畳することにより、基板上(S) に形成される導電性の溶媒(A) に前記プラズマ中のイオン化された第1の元素を供給する工程と、この溶媒に供給された第1の元素と、この溶媒に予め含まれる第2の元素とを反応せしめて溶質を形成する工程と、この形成された溶質を前記溶媒中に形成される温度差と前記溶質の濃度差に基づき前記溶媒(A) 中を移動せしめて、前記溶質の成長層を前記基板(S) の表面に形成せしめる工程とを含んでいる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
イオン化された第1の元素を含むプラズマに直流電流を重畳することにより、基板上に形成される導電性の溶媒に前記プラズマ中の前記イオン化された第1の元素を供給する工程と、 この溶媒に供給された前記第1の元素と、この溶媒に予め含まれる第2の元素とを反応せしめて溶質を形成する工程と、 この形成された溶質を、前記溶媒中に形成される温度差と前記溶質の濃度差とに基づき前記溶媒中を移動せしめて、前記溶質の成長層を前記基板の表面に形成せしめる工程と を含むことを特徴とする液相成長法。
IPC (3)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/208 ,  C30B 19/00
FI (3)：
C30B29/36 A ,  H01L21/208 Z ,  C30B19/00 Z
F-Term (15)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CE01 ,  4G077CE04 ,  4G077CG07 ,  4G077EA06 ,  4G077EB05 ,  4G077PE05 ,  5F053AA44 ,  5F053BB38 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053PP20 ,  5F053RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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