半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1999374670
Publication number (International publication number)：2001189523
Patent number：4514868
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体基板の主面上に、半導体材料からなる活性層を形成する工程と、前記活性層の上に、前記活性層よりも屈折率の小さな第1の半導体材料からなる第1のクラッド層を成長させる工程と、前記第1のクラッド層の上に、前記第1の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第2の半導体材料からなる下キャップ層を成長させる工程と、前記下キャップ層の上に、前記第2の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第3の半導体材料からなる上キャップ層を成長させる工程と、前記上キャップ層の表面のうち一部の領域をマスクパターンで覆う工程と、前記マスクパターンをエッチングマスクとして前記上キャップ層をエッチングし、該マスクパターンで覆われていない領域に前記下キャップ層を露出させる工程と、露出した前記下キャップ層をエッチングするとともに、前記マスクパターンの下方の該下キャップ層を横方向にエッチングし、該マスクパターンを庇状に残す工程と、前記下キャップ層をエッチングマスクとして、前記第1のクラッド層をエッチングする工程と、前記第1のクラッド層をエッチングマスクとして、前記活性層をエッチングする工程と、前記活性層がエッチングされた領域上に成長し、前記マスクパターンの表面上には成長しない条件で、半導体材料からなる光導波路層を、前記活性層とバットジョイントするように選択的に成長させる工程と、前記光導波路層の上に成長し、前記マスクパターンの表面上には成長しない条件で、前記光導波路層よりも屈折率の小さな半導体材料からなる第2のクラッド層を選択的に成長させる工程とを有し、前記上キャップ層をエッチングする工程において、該上キャップ層がサイドエッチングされないか、または該上キャップ層のサイドエッチング量が、前記下キャップ層をエッチングする工程における該下キャップ層のサイドエッチング量よりも少ない半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01S 5/12 ( 200 6.01) , H01L 21/306 ( 200 6.01) , H01L 27/15 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01S 5/12 , H01L 21/306 B , H01L 27/15 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-108305
半導体光結合回路及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322666 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-051569

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