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J-GLOBAL ID：201103099396536684

半導体ウェハのダイシング

Inventor： ボイル、エイドリアン ,  キャラハン、ジョセフ ,  マキャナン、フィンタン
Applicant, Patent owner： エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 特許業務法人湘洋内外特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011506721
Publication number (International publication number)：2011519175
Application date： Apr. 30, 2009
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：

半導体ウェハのダイシング方法であって、1ピコ秒乃至1000ピコ秒のパルス幅で、スクライビング対象のマテリアルの熱緩和時間よりも短いパルス間隔に相当する繰り返し周波長のレーザーを用いて、ウェハの表面からマテリアルを除去するために、ダイスレーンに沿って少なくとも一層の誘導体層に対してスクライビングを行う方法。その後、このウェハは、金属層を通って、かつ少なくとも部分的に半導体ウェハの基板を通って、ダイシングされる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ウェハのダイシング方法であって、 a.1ピコ秒乃至1000ピコ秒のパルス幅で、スクライブ対象のマテリアルの熱緩和時間よりも短いパルス間隔に相当する繰り返し周波長のレーザーを用いて、ウェハの表面からマテリアルを除去するために、ダイスレーンに沿って少なくとも一層の誘導体層に対してスクライビングを行う工程と、 b.金属層を通って、かつ少なくとも部分的に半導体ウェハの基板を通って、ダイシングを行う工程を備えることを特徴とするダイシング方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/08

FI (6)：

H01L21/78 B ,  H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 H ,  B23K26/08 K ,  B23K26/00 N

F-Term (5)：

4E068AD00 ,  4E068CA02 ,  4E068CA04 ,  4E068CE08 ,  4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭59-040548
  
• 特開昭59-040548
  
• 板状体切断方法並びにレーザ加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-129396   Applicant：サイバーレーザー株式会社
• 超精密加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-162265   Applicant：三菱重工業株式会社
• 特開昭59-040548